(эпитаксиального слоя)

См. также в других словарях:

• утолщение эпитаксиального слоя на краях пластины — epitaksinio sluoksnio krašto sustorėjimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial edge crown vok. Epischichtverdickung an der Waferkante, f rus. утолщение эпитаксиального слоя на краях пластины, n pranc. épaississement de… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• раствор для выращивания эпитаксиального слоя — epitaksijos tirpalas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial growth solution; epitaxial solution vok. Epitaxiallösung, f; Wachstumslösung, f rus. раствор для выращивания эпитаксиального слоя, m; раствор для жидкостной… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• рекристаллизация эпитаксиального слоя — epitaksinio sluoksnio perkristalizavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial layer recrystallization; epitaxial regrowth vok. Epitaxieschichtrekristallisation, f rus. рекристаллизация эпитаксиального слоя, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• материал подложки для выращивания эпитаксиального слоя — — [А.С.Гольдберг. Англо русский энергетический словарь. 2006 г.] Тематики энергетика в целом EN parent material …   Справочник технического переводчика

• ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …   Энциклопедия Кольера

• Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы  вещества с чётко в …   Википедия

• Технологический процесс в электронной промышленности — Кристаллический кремний …   Википедия

• Бахрушин, Владимир Евгеньевич — У этого термина существуют и другие значения, см. Бахрушин. Бахрушин Владимир Евгеньевич Дата рождения: 29 мая 1960 …   Википедия

• Микроэлектроника —         область электроники (См. Электроника), занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. Возникновение М. в начале 60 х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением… …   Большая советская энциклопедия

• Леговец, Курт — Курт Леговец Kurt Lehovec Дата рождения: 12 июня 1918(1918 06 12) Место рождения: Ледвице  …   Википедия

• ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ — дозированное введение в полупроводник примесей или структурных дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное Л. п. Электрич. свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации вводимых… …   Физическая энциклопедия